Infineon Technologies - AUIRFN8405TR

KEY Part #: K6418567

AUIRFN8405TR Preços (USD) [68297pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.57251
  • 4,000 pcs$0.46566

Número da peça:
AUIRFN8405TR
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 40V 187A AUTO.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AUIRFN8405TR Atributos do produto

Número da peça : AUIRFN8405TR
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 40V 187A AUTO
Series : HEXFET®
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 95A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 117nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5142pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.3W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PQFN (5x6)
Pacote / caso : 8-PowerTDFN