STB12NM50T4 Preços (USD) [44488pcs Estoque]
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- 1,000 pcs$0.87889
- Número da peça:
- STB12NM50T4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes and Módulos de driver de energia ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in STMicroelectronics STB12NM50T4 electronic components. STB12NM50T4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STB12NM50T4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STB12NM50T4 Atributos do produto
Número da peça :
STB12NM50T4
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
Series :
MDmesh™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
550V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
12A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
350 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
39nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1000pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
160W (Tc)
Temperatura de operação :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D2PAK
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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