[13130pcs Estoque]
- Número da peça:
- NTD85N02R
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 24V 12A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NTD85N02R electronic components. NTD85N02R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTD85N02R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTD85N02R Atributos do produto
Número da peça :
NTD85N02R
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 24V 12A DPAK
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
24V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
12A (Ta), 85A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
17.7nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2050pF @ 20V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.25W (Ta), 78.1W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DPAK
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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