NVMFS5C604NLAFT1G Preços (USD) [54992pcs Estoque]
- 1 pcs$1.02286
- 1,500 pcs$1.01777
- Número da peça:
- NVMFS5C604NLAFT1G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - RF, Transistores - JFETs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
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NVMFS5C604NLAFT1G Atributos do produto
Número da peça :
NVMFS5C604NLAFT1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
Series :
Automotive, AEC-Q101
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
287A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
52nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
8900pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
200W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacote / caso :
8-PowerTDFN, 5 Leads
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