IRF3709ZPBF Preços (USD) [56337pcs Estoque]
- 1 pcs$0.66478
- 10 pcs$0.59036
- 100 pcs$0.46647
- 500 pcs$0.34221
- 1,000 pcs$0.27017
- Número da peça:
- IRF3709ZPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 87A TO-220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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IRF3709ZPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRF3709ZPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 87A TO-220AB
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
87A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.3 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.25V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
26nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2130pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
79W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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