Infineon Technologies - IRF3709ZPBF

KEY Part #: K6402355

IRF3709ZPBF Preços (USD) [56337pcs Estoque]

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Número da peça:
IRF3709ZPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 87A TO-220AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Single, Transistores - Propósito Específico, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs - Módulos and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF3709ZPBF Atributos do produto

Número da peça : IRF3709ZPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 30V 87A TO-220AB
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 87A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.3 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.25V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2130pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 79W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB
Pacote / caso : TO-220-3

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