TK160F10N1L,LQ Preços (USD) [69651pcs Estoque]
- 1 pcs$0.56138
- Número da peça:
- TK160F10N1L,LQ
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
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TK160F10N1L,LQ Atributos do produto
Número da peça :
TK160F10N1L,LQ
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Series :
U-MOSVIII-H
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
160A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
122nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
10100pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
375W (Tc)
Temperatura de operação :
175°C
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220SM(W)
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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