Rohm Semiconductor - RP1E125XNTR

KEY Part #: K6412658

[13369pcs Estoque]


    Número da peça:
    RP1E125XNTR
    Fabricante:
    Rohm Semiconductor
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 30V 12.5A MPT6.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - RF, Diodos - Zener - Single, Módulos de driver de energia and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Rohm Semiconductor RP1E125XNTR electronic components. RP1E125XNTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RP1E125XNTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RP1E125XNTR Atributos do produto

    Número da peça : RP1E125XNTR
    Fabricante : Rohm Semiconductor
    Descrição : MOSFET N-CH 30V 12.5A MPT6
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 12.5A (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 12.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 12.7nC @ 5V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1000pF @ 10V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 2W (Ta)
    Temperatura de operação : 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : MPT6
    Pacote / caso : 6-SMD, Flat Leads

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