FDB050AN06A0 Preços (USD) [49150pcs Estoque]
- 1 pcs$0.79552
- 800 pcs$0.76761
- Número da peça:
- FDB050AN06A0
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
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FDB050AN06A0 Atributos do produto
Número da peça :
FDB050AN06A0
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
18A (Ta), 80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
80nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3900pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
245W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D²PAK
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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