Diodes Incorporated - DMN67D8LW-13

KEY Part #: K6416441

DMN67D8LW-13 Preços (USD) [2611600pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.01416
  • 10,000 pcs$0.01183

Número da peça:
DMN67D8LW-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V SOT323.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN67D8LW-13 Atributos do produto

Número da peça : DMN67D8LW-13
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N-CH 60V SOT323
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 240mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 0.82nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 22pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 320mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-323
Pacote / caso : SC-70, SOT-323

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