[13871pcs Estoque]
- Número da peça:
- TPCF8B01(TE85L,F,M
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - RF, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
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TPCF8B01(TE85L,F,M Atributos do produto
Número da peça :
TPCF8B01(TE85L,F,M
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
Series :
U-MOSIII
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
110 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 200µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
6nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
470pF @ 10V
Recurso FET :
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.) :
330mW (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
VS-8 (2.9x1.5)
Pacote / caso :
8-SMD, Flat Lead
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