STMicroelectronics - STD1NK80ZT4

KEY Part #: K6415747

STD1NK80ZT4 Preços (USD) [230989pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.16013
  • 2,500 pcs$0.15076

Número da peça:
STD1NK80ZT4
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Single, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Diodos - Zener - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD1NK80ZT4 Atributos do produto

Número da peça : STD1NK80ZT4
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Series : SuperMESH™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 7.7nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 160pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 45W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DPAK
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63