Infineon Technologies - BSC093N04LSGATMA1

KEY Part #: K6420770

BSC093N04LSGATMA1 Preços (USD) [249476pcs Estoque]

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  • 5,000 pcs$0.10572

Número da peça:
BSC093N04LSGATMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC093N04LSGATMA1 Atributos do produto

Número da peça : BSC093N04LSGATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 13A (Ta), 49A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.3 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 14µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1900pF @ 20V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TDSON-8
Pacote / caso : 8-PowerTDFN

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