IPA65R110CFDXKSA1 Preços (USD) [23850pcs Estoque]
- 1 pcs$1.72806
- 500 pcs$1.63414
- Número da peça:
- IPA65R110CFDXKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Solteiro and Diodos - Zener - Single ...
- Vantagem competitiva:
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IPA65R110CFDXKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPA65R110CFDXKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220
Series :
CoolMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
31.2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
110 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 1.3mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
118nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3240pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
34.7W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO220 Full Pack
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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