[12256pcs Estoque]
- Número da peça:
- STN1N20
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 200V 1A SOT223.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Tiristores - TRIACs, Transistores - Unijunction Programável, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in STMicroelectronics STN1N20 electronic components. STN1N20 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STN1N20, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STN1N20 Atributos do produto
Número da peça :
STN1N20
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 1A SOT223
Series :
MESH OVERLAY™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
15.7nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
206pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.9W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-223
Pacote / caso :
TO-261-4, TO-261AA
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