ON Semiconductor - FCH070N60E

KEY Part #: K6416125

FCH070N60E Preços (USD) [12486pcs Estoque]

  • 1 pcs$3.30084
  • 450 pcs$2.72945

Número da peça:
FCH070N60E
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 52A.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - Propósito Específico ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCH070N60E Atributos do produto

Número da peça : FCH070N60E
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 600V 52A
Series : SuperFET® II
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 52A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 166nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4925pF @ 380V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 481W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247 Long Leads
Pacote / caso : TO-247-3

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