BUK9E08-55B,127 Preços (USD) [54371pcs Estoque]
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- Número da peça:
- BUK9E08-55B,127
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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BUK9E08-55B,127 Atributos do produto
Número da peça :
BUK9E08-55B,127
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Series :
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
75A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
45nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±15V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
5280pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
203W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
I2PAK
Pacote / caso :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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