[12579pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRF7353D1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF7353D1 electronic components. IRF7353D1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7353D1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF7353D1 Atributos do produto
Número da peça :
IRF7353D1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Series :
FETKY™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
32 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
33nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
650pF @ 25V
Recurso FET :
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.) :
2W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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