ON Semiconductor - FQP19N20C_F080

KEY Part #: K6407599

[917pcs Estoque]


    Número da peça:
    FQP19N20C_F080
    Fabricante:
    ON Semiconductor
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 200V 19A TO-220.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs, Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Tiristores - TRIACs and Transistores - Unijunction Programável ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in ON Semiconductor FQP19N20C_F080 electronic components. FQP19N20C_F080 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQP19N20C_F080, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQP19N20C_F080 Atributos do produto

    Número da peça : FQP19N20C_F080
    Fabricante : ON Semiconductor
    Descrição : MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
    Series : QFET®
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 19A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 9.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 53nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±30V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1080pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 139W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Through Hole
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220-3
    Pacote / caso : TO-220-3

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