TK50P04M1(T6RSS-Q) Preços (USD) [260070pcs Estoque]
- 1 pcs$0.15723
- 2,000 pcs$0.15644
- Número da peça:
- TK50P04M1(T6RSS-Q)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
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TK50P04M1(T6RSS-Q) Atributos do produto
Número da peça :
TK50P04M1(T6RSS-Q)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3
Series :
U-MOSVI-H
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
50A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 500µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
38nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2600pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
60W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DP
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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