GeneSiC Semiconductor - GA50JT12-247

KEY Part #: K6395707

GA50JT12-247 Preços (USD) [896pcs Estoque]

  • 1 pcs$56.45706
  • 10 pcs$52.92992
  • 25 pcs$50.45983

Número da peça:
GA50JT12-247
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
TRANS SJT 1.2KV 50A.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - JFETs and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GA50JT12-247 Atributos do produto

Número da peça : GA50JT12-247
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : TRANS SJT 1.2KV 50A
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : -
Tecnologia : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 50A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 7209pF @ 800V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 583W (Tc)
Temperatura de operação : 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247AB
Pacote / caso : TO-247-3