SI7112DN-T1-E3 Preços (USD) [122476pcs Estoque]
- 1 pcs$0.30200
- 3,000 pcs$0.25520
- Número da peça:
- SI7112DN-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
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SI7112DN-T1-E3 Atributos do produto
Número da peça :
SI7112DN-T1-E3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11.3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.5 mOhm @ 17.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
27nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2610pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.5W (Ta)
Temperatura de operação :
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® 1212-8
Pacote / caso :
PowerPAK® 1212-8
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