Diodes Incorporated - DMTH6004SK3Q-13

KEY Part #: K6393786

DMTH6004SK3Q-13 Preços (USD) [134368pcs Estoque]

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Número da peça:
DMTH6004SK3Q-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET NCH 60V 100A TO252.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - TRIACs and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMTH6004SK3Q-13 Atributos do produto

Número da peça : DMTH6004SK3Q-13
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET NCH 60V 100A TO252
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 95.4nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4556pF @ 30V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.9W (Ta), 180W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252-4L
Pacote / caso : TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

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