IXYS - IXFN360N15T2

KEY Part #: K6399966

IXFN360N15T2 Preços (USD) [2523pcs Estoque]

  • 1 pcs$18.02700
  • 10 pcs$16.67648
  • 25 pcs$15.32411
  • 100 pcs$14.24244
  • 250 pcs$13.07058

Número da peça:
IXFN360N15T2
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 150V 310A SOT227.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN360N15T2 Atributos do produto

Número da peça : IXFN360N15T2
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 150V 310A SOT227
Series : GigaMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 150V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 310A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 715nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 47500pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1070W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-227B
Pacote / caso : SOT-227-4, miniBLOC

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