Nexperia USA Inc. - PHD9NQ20T,118

KEY Part #: K6420754

PHD9NQ20T,118 Preços (USD) [246005pcs Estoque]

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  • 10,000 pcs$0.17820

Número da peça:
PHD9NQ20T,118
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - SCRs and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PHD9NQ20T,118 Atributos do produto

Número da peça : PHD9NQ20T,118
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK
Series : TrenchMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 8.7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 959pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 88W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DPAK
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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