IPS040N03LGBKMA1 Preços (USD) [883pcs Estoque]
- 1 pcs$0.42228
- 10 pcs$0.37002
- Número da peça:
- IPS040N03LGBKMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - TRIACs and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
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IPS040N03LGBKMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPS040N03LGBKMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
90A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
38nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3900pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
79W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO251-3
Pacote / caso :
TO-251-3 Stub Leads, IPak
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