Vishay Siliconix - SIA427DJ-T1-GE3

KEY Part #: K6418329

SIA427DJ-T1-GE3 Preços (USD) [414489pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.08924
  • 3,000 pcs$0.08429

Número da peça:
SIA427DJ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - retificadores de ponte ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA427DJ-T1-GE3 Atributos do produto

Número da peça : SIA427DJ-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 8V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2300pF @ 4V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® SC-70-6 Single
Pacote / caso : PowerPAK® SC-70-6

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