IRF6201TRPBF Preços (USD) [175797pcs Estoque]
- 1 pcs$0.21040
- 4,000 pcs$0.16451
- Número da peça:
- IRF6201TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 20V 27A 8-SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - SCRs, Diodos - RF, Diodos - Zener - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - Unijunction Programável ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF6201TRPBF electronic components. IRF6201TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF6201TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF6201TRPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRF6201TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 20V 27A 8-SOIC
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
27A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.45 mOhm @ 27A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
195nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
8555pF @ 16V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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