STMicroelectronics - STL90N10F7

KEY Part #: K6405171

STL90N10F7 Preços (USD) [58646pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.67007
  • 3,000 pcs$0.66673

Número da peça:
STL90N10F7
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STL90N10F7 Atributos do produto

Número da peça : STL90N10F7
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6
Series : DeepGATE™, STripFET™ VII
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 70A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.5 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3550pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 5W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura de operação : 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerFlat™ (5x6)
Pacote / caso : 8-PowerVDFN

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