IXYS - IXTH160N10T

KEY Part #: K6399070

IXTH160N10T Preços (USD) [23380pcs Estoque]

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  • 100 pcs$1.42113
  • 500 pcs$1.09173
  • 1,000 pcs$0.92074

Número da peça:
IXTH160N10T
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 160A TO-247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH160N10T Atributos do produto

Número da peça : IXTH160N10T
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 100V 160A TO-247
Series : TrenchMV™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 160A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 132nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 6600pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 430W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247 (IXTH)
Pacote / caso : TO-247-3

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