BSC13DN30NSFDATMA1 Preços (USD) [65615pcs Estoque]
- 1 pcs$1.35736
- 10 pcs$1.21325
- 100 pcs$0.94390
- 500 pcs$0.76434
- 1,000 pcs$0.64462
- Número da peça:
- BSC13DN30NSFDATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 300V 16A 8TDSON.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
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BSC13DN30NSFDATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
BSC13DN30NSFDATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 300V 16A 8TDSON
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
300V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
16A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
130 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 90µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
30nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2450pF @ 150V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
150W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TDSON-8
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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