IXTX200N10L2 Preços (USD) [4590pcs Estoque]
- 1 pcs$10.43105
- 30 pcs$10.37916
- Número da peça:
- IXTX200N10L2
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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IXTX200N10L2 Atributos do produto
Número da peça :
IXTX200N10L2
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
Series :
Linear L2™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
200A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 3mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
540nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
23000pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1040W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PLUS247™-3
Pacote / caso :
TO-247-3
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