STP110N10F7 Preços (USD) [33162pcs Estoque]
- 1 pcs$1.17667
- 10 pcs$1.00720
- 100 pcs$0.80923
- 500 pcs$0.62939
- 1,000 pcs$0.52149
- Número da peça:
- STP110N10F7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N CH 100V 110A TO-220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
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STP110N10F7 Atributos do produto
Número da peça :
STP110N10F7
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N CH 100V 110A TO-220
Series :
DeepGATE™, STripFET™ VII
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
110A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
60nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
5500pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
150W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220
Pacote / caso :
TO-220-3
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