[2223pcs Estoque]
- Número da peça:
- SSM3K309T(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Matrizes and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
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SSM3K309T(TE85L,F) Atributos do produto
Número da peça :
SSM3K309T(TE85L,F)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
31 mOhm @ 4A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1020pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
700mW (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TSM
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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