IGO60R070D1AUMA1 Preços (USD) [5242pcs Estoque]
- 1 pcs$8.26281
- Número da peça:
- IGO60R070D1AUMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- IC GAN FET 600V 60A 20DSO.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - TRIACs, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IGO60R070D1AUMA1 electronic components. IGO60R070D1AUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IGO60R070D1AUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IGO60R070D1AUMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IGO60R070D1AUMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
IC GAN FET 600V 60A 20DSO
Series :
CoolGaN™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
31A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.6V @ 2.6mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
-10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
380pF @ 400V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
125W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-DSO-20-85
Pacote / caso :
20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
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