Infineon Technologies - BSL303SPEH6327XTSA1

KEY Part #: K6421266

BSL303SPEH6327XTSA1 Preços (USD) [413043pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.08955
  • 3,000 pcs$0.08591

Número da peça:
BSL303SPEH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 30V 6.3A TSOP-6.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Infineon Technologies BSL303SPEH6327XTSA1 electronic components. BSL303SPEH6327XTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSL303SPEH6327XTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSL303SPEH6327XTSA1 Atributos do produto

Número da peça : BSL303SPEH6327XTSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET P-CH 30V 6.3A TSOP-6
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6.3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 30µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 20.9nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1401pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TSOP-6-6
Pacote / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Você também pode estar interessado em