ON Semiconductor - FQI11P06TU

KEY Part #: K6410827

[8500pcs Estoque]


    Número da peça:
    FQI11P06TU
    Fabricante:
    ON Semiconductor
    Descrição detalhada:
    MOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAK.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - SCRs, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - JFETs ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in ON Semiconductor FQI11P06TU electronic components. FQI11P06TU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQI11P06TU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQI11P06TU Atributos do produto

    Número da peça : FQI11P06TU
    Fabricante : ON Semiconductor
    Descrição : MOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAK
    Series : QFET®
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : P-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 11.4A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 175 mOhm @ 5.7A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±25V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 550pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 3.13W (Ta), 53W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Tipo de montagem : Through Hole
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : I2PAK (TO-262)
    Pacote / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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