Infineon Technologies - AUIRFS6535

KEY Part #: K6418309

AUIRFS6535 Preços (USD) [59238pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.66350
  • 1,000 pcs$0.66020

Número da peça:
AUIRFS6535
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N CH 300V 19A D2PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AUIRFS6535 Atributos do produto

Número da peça : AUIRFS6535
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N CH 300V 19A D2PAK
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 300V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 19A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 185 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 150µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 57nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2340pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 210W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D2PAK
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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