IXYS - IXFB150N65X2

KEY Part #: K6398422

IXFB150N65X2 Preços (USD) [3961pcs Estoque]

  • 1 pcs$12.02727
  • 10 pcs$11.12522
  • 100 pcs$9.50154

Número da peça:
IXFB150N65X2
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Tiristores - SCRs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFB150N65X2 Atributos do produto

Número da peça : IXFB150N65X2
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
Series : HiPerFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 150A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 8mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 430nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 20400pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1560W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PLUS264™
Pacote / caso : TO-264-3, TO-264AA

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