TK35E10K3(S1SS-Q) Preços (USD) [70977pcs Estoque]
- 1 pcs$0.60894
- 50 pcs$0.60591
- Número da peça:
- TK35E10K3(S1SS-Q)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK35E10K3(S1SS-Q) electronic components. TK35E10K3(S1SS-Q) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK35E10K3(S1SS-Q), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK35E10K3(S1SS-Q) Atributos do produto
Número da peça :
TK35E10K3(S1SS-Q)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
-
Tecnologia :
-
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
-
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
-
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
-
Temperatura de operação :
-
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220
Pacote / caso :
TO-220-3
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