DMN3033LSDQ-13 Preços (USD) [4181pcs Estoque]
- 2,500 pcs$0.09462
- Número da peça:
- DMN3033LSDQ-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Propósito Específico, Módulos de driver de energia, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN3033LSDQ-13 electronic components. DMN3033LSDQ-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3033LSDQ-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN3033LSDQ-13 Atributos do produto
Número da peça :
DMN3033LSDQ-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
13nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
725pF @ 15V
Potência - Max :
2W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
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