IAUT260N10S5N019ATMA1 Preços (USD) [32560pcs Estoque]
- 1 pcs$1.26576
- Número da peça:
- IAUT260N10S5N019ATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET75V120V.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Módulos de driver de energia, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IAUT260N10S5N019ATMA1 electronic components. IAUT260N10S5N019ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IAUT260N10S5N019ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IAUT260N10S5N019ATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IAUT260N10S5N019ATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET75V120V
Series :
OptiMOS™-5
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
260A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 210µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
166nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
11830pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
300W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-HSOF-8-1
Pacote / caso :
8-PowerSFN
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