FDPF10N60NZ Preços (USD) [34765pcs Estoque]
- 1 pcs$0.73167
- 10 pcs$0.64806
- 100 pcs$0.51213
- 500 pcs$0.39715
- 1,000 pcs$0.29660
- Número da peça:
- FDPF10N60NZ
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 10A TO-220F.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Single, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - SCRs - Módulos and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
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FDPF10N60NZ Atributos do produto
Número da peça :
FDPF10N60NZ
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220F
Series :
UniFET-II™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
750 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
30nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1475pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
38W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220F
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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