IXTN32P60P Preços (USD) [3887pcs Estoque]
- 1 pcs$11.75821
- 10 pcs$11.69971
- Número da peça:
- IXTN32P60P
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 600V 32A SOT227.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Single and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTN32P60P electronic components. IXTN32P60P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTN32P60P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTN32P60P Atributos do produto
Número da peça :
IXTN32P60P
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET P-CH 600V 32A SOT227
Series :
PolarP™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
32A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
350 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
196nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
11100pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
890W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-227B
Pacote / caso :
SOT-227-4, miniBLOC
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