NTMFS4C09NAT1G Preços (USD) [356461pcs Estoque]
- 1 pcs$0.10376
- 3,000 pcs$0.09461
- Número da peça:
- NTMFS4C09NAT1G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - SCRs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - Unijunction Programável ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NTMFS4C09NAT1G electronic components. NTMFS4C09NAT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMFS4C09NAT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTMFS4C09NAT1G Atributos do produto
Número da peça :
NTMFS4C09NAT1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
9A (Ta), 52A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
1.9nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1252pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
760mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacote / caso :
8-PowerTDFN, 5 Leads
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