Vishay Siliconix - SQP120N06-3M5L_GE3

KEY Part #: K6417696

SQP120N06-3M5L_GE3 Preços (USD) [38412pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.01791

Número da peça:
SQP120N06-3M5L_GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs, Transistores - JFETs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - DIACs, SIDACs and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQP120N06-3M5L_GE3 Atributos do produto

Número da peça : SQP120N06-3M5L_GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Series : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 330nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 14700pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 250W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB
Pacote / caso : TO-220-3

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