IXTP2N100P Preços (USD) [44010pcs Estoque]
- 1 pcs$1.02686
- 50 pcs$1.02175
- Número da peça:
- IXTP2N100P
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Módulos de driver de energia, Tiristores - SCRs - Módulos and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTP2N100P electronic components. IXTP2N100P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP2N100P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTP2N100P Atributos do produto
Número da peça :
IXTP2N100P
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220
Series :
Polar™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
24.3nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
655pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
86W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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