[14033pcs Estoque]
- Número da peça:
- FQU7P20TU
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 200V 5.7A IPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - TRIACs, Tiristores - SCRs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FQU7P20TU electronic components. FQU7P20TU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQU7P20TU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQU7P20TU Atributos do produto
Número da peça :
FQU7P20TU
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 200V 5.7A IPAK
Series :
QFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5.7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
690 mOhm @ 2.85A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
770pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
I-PAK
Pacote / caso :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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