AOTF11S65L Preços (USD) [41018pcs Estoque]
- 1 pcs$0.96999
- 10 pcs$0.87550
- 100 pcs$0.70366
- 500 pcs$0.54729
- 1,000 pcs$0.45347
- Número da peça:
- AOTF11S65L
- Fabricante:
- Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 650V 11A TO220F.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro and Módulos de driver de energia ...
- Vantagem competitiva:
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AOTF11S65L Atributos do produto
Número da peça :
AOTF11S65L
Fabricante :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 650V 11A TO220F
Series :
aMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
399 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
13.2nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
646pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
31W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220-3F
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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