IXFT12N100F Preços (USD) [7792pcs Estoque]
- 1 pcs$6.45185
- 10 pcs$5.86572
- 100 pcs$4.98586
- 500 pcs$4.25265
- Número da peça:
- IXFT12N100F
- Fabricante:
- IXYS-RF
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1000V 12A TO268.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Solteiro and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS-RF IXFT12N100F electronic components. IXFT12N100F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT12N100F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFT12N100F Atributos do produto
Número da peça :
IXFT12N100F
Fabricante :
IXYS-RF
Descrição :
MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
Series :
HiPerRF™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
12A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
77nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2700pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
300W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-268 (IXFT)
Pacote / caso :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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