IXYS - IXFV12N90PS

KEY Part #: K6406835

[1182pcs Estoque]


    Número da peça:
    IXFV12N90PS
    Fabricante:
    IXYS
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220SMD.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - TRIACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - Propósito Específico ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in IXYS IXFV12N90PS electronic components. IXFV12N90PS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFV12N90PS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXFV12N90PS Atributos do produto

    Número da peça : IXFV12N90PS
    Fabricante : IXYS
    Descrição : MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220SMD
    Series : HiPerFET™, PolarP2™
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 900V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 1mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±30V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3080pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 380W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PLUS-220SMD
    Pacote / caso : PLUS-220SMD

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